Название:	Терагерцовый отклик латерального р-n перехода в графене (графеновый фотодиод)
Грантодатель:	РФФИ
Область знаний:	02 - Физика и астрономия
Научная дисциплина:	02-205 Нано- и микроструктуры
Ключевые слова:	графен, фотопроводимость, терагерцовая область спектра, p-n переход, фотодиод
Тип:	исследовательский
Руководитель(и):	Васильев,ЮБ
Подразделения:	лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
Код проекта:	16-02-00854
Финансирование 2016 г.:	459 000
Финансирование 2017 г.:	450 000
Финансирование 2018 г.:	700 000
Исполнители:	Васильева,ГЮ: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ) Петров,ПВ: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Усикова,АА: лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ) Иванов,ЮЛ: лаб. неравновесных процессов в полупроводниках (Алешина,АН) Емельянов,СА: лаб. нелинейных оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках (Белькова,ВВ) Лебедев,СП: лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)

Настоящий проект посвящен исследованию свойств p-n переходов в графене. Будет исследоваться отклик структур на воздействие терагерцового излучения. В качестве объектов исследования будут использоваться латеральные p-n переходы, изготовленные на поверхности графена, полученного методом сублимации на подложке SiC. В результате выполнения проекта предполагается изучить детально механизмы формирования фотоотклика таких систем, а также выяснить возможности использования графена для создания приемников терагерцового диапазона.