Общая информация

Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе является одним из крупнейших научных центров России, в котором широким фронтом ведутся как фундаментальные, так и прикладные исследования в важнейших областях современной физики и технологии.

Институт был основан в 1918 году Абрамом Федоровичем Иоффе, который затем возглавлял его в течение нескольких десятилетий. С 1960 года институт носит имя этого выдающегося ученого и организатора науки.

До конца декабря 2013 года институт являлся учреждением Российской академии наук и входил в состав Отделения физических наук. 30 декабря 2013 в соответствии с распоряжением Правительства РФ № 2591-р институт был передан в ведение Федерального агентства научных организаций России.

27 июня 2018 г. распоряжением Правительства РФ № 1293-р Институт был передан в ведение Министерства науки и высшего образования РФ.

 

 

 

Из событий последних месяцев

  • О работе молодежных лабораторий, открытых в 2022 году

    19 января 2023 года состоялось заседание Коллегии дирекции Института, на котором были заслушаны сообщения заведующих молодёжных лаборатории, открытых в 2022 году. О проведенной и планируемой работе доложили С.О. Слипченко, С.И. Павлов, Н.А. Калюжный, С.А. Левина, С.А. Блохин и К.В. Рейх. В обсуждении также приняли участие заведующие базовых лабораторий - Н.А. Пихтин, П.Н. Брунков, М.З. Шварц, В.М. Устинов и А.Я. Вуль.

  • ФТИ им. А.Ф. Иоффе начинает разработку новых полупроводниковых лазерных источников для гетерогенной интеграции с фотонными интегральными схемами на кремниевых подложках

    Четырехстороннее соглашение подписано между признанным лидером в области разработки и исследования полупроводниковых наногетероструктур А3В5 и лазеров на их основе ФТИ им. А.Ф. Иоффе, первым в России постановщиком серийного производства ФИС Зеленоградским нанотехнологическим центром, университетом с многолетним уникальным опытом разработки кремниевых технологий ФГАОУ ВО «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» и крупнейшим российским разработчиком и производителем трансиверов Future Technologies. Проект подразумевает разработку и производство трансиверов для центров обработки данных со скоростью 100-400 Гбит/с с применением фотонных интегральных схем. Подробнее...

  • Курчатов в Физтехе – к 120-летию со дня рождения

    Игорь Васильевич Курчатов родился 12 января 1903 г. на Урале в семье землемера в селе Сим Уфимской губернии (ныне Челябинская обл.). Детство провел в Симферополе. В 1920 г. окончил гимназию и вечернюю ремесленную школу, в 1923 г. − физико-математический факультет Крымского университета им. М.В. Фрунзе. В 1923 г. поступил на третий курс кораблестроительного факультета Петроградского политехнического института.

    С 1925 г. по 1944 г. работал в ЛФТИ: зам. начальника особой группы по ядру с 1932 г., начальник отдела ядерной физики с 1933 г., начальник отдела физики ядра с 1934 г., зав. лабораторией ядерных реакций с 1936 г., зав. лабораторией № 3 с 1942 г. В 1927–1929 был доцентом ЛПИ, в 1936–1941 заведовал кафедрой Ленинградского педагогического института. Первые научные публикации были посвящены новому явлению — сегнетоэлектричеству. С 1932 г., одним из первых в стране, начал изучать физику атомного ядра. В 1934 г. наблюдал разветвление ядерных реакций, происходящих после нейтронного облучения веществ, затем исследовал искусственную радиоактивность, открыл ядерную изомерию. В 1940 г. под научным руководством И.В. Курчатова аспиранты Г.Н. Флеров и К.А. Петржак открыли спонтанное деление урана.

    Подробнее о работе И.В. Курчатова в Институте можно узнать здесь.

  • Поздравление президента Российской академии наук

    С Новым 2023 годом коллег и друзей, членов РАН, профессоров РАН и ученых, от имени Президиума РАН и от себя лично, поздравил президент Российской академии наук Геннадий Яковлевич Красников. Видеозапись поздравления размещена на сайте РАН.

Основные научные достижения

  • Разработка методов управления сильноточной дугой в вакуумных выключателях для высоковольтных энергосистем
  • Многополосное излучение наностержней типа «ядро-оболочка» с InGaN/GaN квантовыми ямами
  • Генерация и маршрутизация наномасштабных капельных солитонов без компенсации магнитного затухания
  • Интегрально-оптический СВЧ-модулятор
  • Тороидальная невзаимность генерации второй оптической гармоники
  • Влияние температуры облучения на радиационную стойкость приборов на основе SiC
  • Оптические переходы в кремниевых нанокристаллах
  • Эффекты квантового электронного храповика в графене
  • Исследование локального анодного окисления MoSe2 для литографии высокого разрешения
  • Малощумяшие гетерофотодиоды на основе InAs
  • Технология алмазных наночастиц высокой степени очистки с узким распределением по размерам для нового типа отражателей холодных нейтронов