Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 24970 |
Цитируемость | |
суммарная | 322344 |
на статью | 12,9 |
Индекс Хирша | 169 |
G-индекс | 285 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 28011 |
Цитируемость | |
суммарная | 345612 |
на статью | 12,3 |
Индекс Хирша | 177 |
G-индекс | 295 |
Экспериментально и теоретичеcки исследованы свойства 2D-дырок в размерно-квантованном аккумулирующем слое, возникающем на интерфейсах Те-ТеО2 и Те-SiO2. Установлен закон дисперсии дырок и его анизотропия, которые отличаются от 2D-спектров для кубических полупроводников отсутствием спинового вырождения валентной зоны вследствие сильного спин-орбитального взаимодействия. Обнаружен эффект слабой локализации 2D-дырок на поверхности теллура при низких температурах и определена роль междолинных переходов, приводящих к снятию спинового вырождения. Установлено, что явления переориентации спина происходят также в системе нанокластеров теллура в решетке опала вследствие образования 2D-слоя на интерфейсе Те-SiO2.