Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 23783 |
Цитируемость | |
суммарная | 308211 |
на статью | 13,0 |
Индекс Хирша | 167 |
G-индекс | 279 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 27086 |
Цитируемость | |
суммарная | 337129 |
на статью | 12,4 |
Индекс Хирша | 176 |
G-индекс | 294 |
Предложены, разработаны, исследованы и запатентованы два новых кремниевых прибора силовой полупроводниковой импульсной электроники:
Предназначен для создания излучателей мощных направленных электромагнитных импульсов.
Иллюстрации
а) исследуемая конструкция диодной p+N0n+ – структуры: 1 – блокирующий p+N0 – переход, 2 – замыкающая металлизация, 3 – p+- слой, 4 – n+ - слой; b) форма распределения напряженности поля по поверхности N0 кольца; с – форма распределения напряженности поля на p+N0 – переходе
Публикации