Web of Science® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 24465 |
Цитируемость | |
суммарная | 320835 |
на статью | 13,1 |
Индекс Хирша | 168 |
G-индекс | 284 |
Scopus® | |
---|---|
ФТИ в 200022 гг. | |
Статей | 27734 |
Цитируемость | |
суммарная | 344960 |
на статью | 12,4 |
Индекс Хирша | 177 |
G-индекс | 295 |
Предложены, разработаны, исследованы и запатентованы два новых кремниевых прибора силовой полупроводниковой импульсной электроники:
Предназначен для создания излучателей мощных направленных электромагнитных импульсов.
Иллюстрации
а) исследуемая конструкция диодной p+N0n+ – структуры: 1 – блокирующий p+N0 – переход, 2 – замыкающая металлизация, 3 – p+- слой, 4 – n+ - слой; b) форма распределения напряженности поля по поверхности N0 кольца; с – форма распределения напряженности поля на p+N0 – переходе
Публикации