• Год:2016
    Авторы:Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Белякова,ЕИ; Юсупова,ША
    Подразделения:

    Предложены, разработаны, исследованы и запатентованы два новых кремниевых прибора силовой полупроводниковой импульсной электроники:

    1. Наносекундный диодный размыкатель тока позволяет за 1,5-2 нс размыкать ток с плотностью 5-10 кА/см2. Предназначен для создания сверхмощных генераторов наносекундных импульсов.
    2. Диодный ударно-ионизационный обостритель импульсов тока, формирующий мощный высоковольтный импульс, который нарастает за время <100 пс и имеет высокую стабильность повторения импульсов.

    Предназначен для создания излучателей мощных направленных электромагнитных импульсов.

    Иллюстрации

    а) исследуемая конструкция диодной p+N0n+ – структуры: 1 – блокирующий p+N0 – переход, 2 – замыкающая металлизация, 3 – p+- слой, 4 – n+ - слой; b) форма распределения напряженности поля по поверхности N0 кольца; с – форма распределения напряженности поля на p+N0 – переходе

    Публикации

    1. Решение о выдаче патента на полезную модель по заявке 2016101357/08 (001875) от 18.01.2016 г. «Полупроводниковый субнаносекундный обостритель импульсов», авторы И.В. Грехов, А.Г. Люблинский.
    2. И.В. Грехов, А.Г. Люблинский, И.А Смирнова Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах, ЖТФ, 2015 г., т.85, вып.11, стр.104-108.
    3. И.В. Грехов, А.Г. Люблинский, Е.И. Белякова Мощный диодный наносекундный размыкатель на основе p-кремния (p-SOS), ЖТФ, т.86, вып.3, стр.108-109.
    4. Патент на полезную модель 160232 ?Высоковольтный полупроводниковый диод с резким обрывом обратного тока?, авторы: И.В. Грехов, Л.С. Костина, А.Г. Люблинский, приоритет от 19.05.2015 г.