Год: | 2005 |
Авторы: | Глазов,ММ; Одноблюдов,МА; Перель,ВИ; Тарасенко,СА; Яссиевич,ИН |
Подразделения: |
|
Исследовано туннелирование электронов через двухбарьерные полупроводниковые гетероструктуры на основе материалов без центра инверсии. Продемонстрировано, что процесс туннелирования в таких системах является спин-зависимым и прозрачность структуры зависит от ориентации электронных спинов. Микроскопическая природа эффекта связана с линейным по волновому вектору спин-орбитальным расщеплением резонансных уровней. Показано, что для создания спиновых инжекторов и детекторов могут быть использованы резонансные туннельные диоды на основе двухбарьерных полупроводниковых гетероструктур: электроны, наклонно прошедшие через структуру становятся поляризованными по спину, а туннелирование ориентированных по спину носителей заряда сопровождается генерацией электрического тока в плоскости интерфейсов.