Название: | Разработка МОС-гидридной технологии наногетероструктур и мощных непрерывных и импульсных полупроводниковых лазеров на их основе, излучающих в диапазоне длин волн 1400-1600 нм |
Грантодатель: | Контракты ФЦП |
Критическая технология: | Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии |
Приоритетное направление: | Индустрия наносистем |
Ключевые слова: | наногетероструктура, МОС-гидридная эпитаксия, полупроводниковый лазер, внутренние оптические потери, расширенный волновод, оже рекомбинация, многомодовый лазер, твердые растворы изопериодические с InP |
Тип: | исследовательский |
Руководитель(и): | Тарасов,ИС |
Подразделения: | |
Код проекта: | 14.607.21.0048 |
Финансирование 2014 г.: | 60 000 000 |
Исполнители: |
Арсентьев,ИН: лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА) Аюшева,КР: None Бахвалов,КВ: None Бондарев,АД: None Вавилова,ЛС: лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА) Васильева,ВВ: None Веселов,ДА: None Воронкова,НВ: None Жаботинский,АВ: None Золотарев,ВВ: None Капитонов,ВА: лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА) Лешко,АЮ: лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА) Лубянский,ЯВ: None Лютецкий,АВ: None Николаев,ДН: None Петрунов,АН: None Пихтин,НА: None Подоскин,АА: None Растегаева,МГ: None Рожков,АВ: лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА) Слипченко,СО: None Соколова,ЗН: лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА) Солдатенков,ФЮ: None Стрелец,ВА: None Шамахов,ВВ: None Шашкин,ИС: лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей (Пихтина,НА) |